به احتمال زیاد سامسونگ از فناوری لیتوگرافی پیشرفته TSMC برای تولید تراشه‌های سفارشی انویدیا بهره خواهد برد
شرکت سامسونگ نهایتا با درخواست انویدیا مبنی بر به‌کارگیری فناوری لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC برای تولید تراشه‌های سفارشی HBM4E موافقت کرد. این تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا که تحت عنوان NVHBM شناخته می‌شوند، جایگاه اساسی در زیرساخت‌های هوش مصنوعی انویدیا خواهند داشت.
سامسونگ عموماً رویکردی جامع را اتخاذ می‌کرد و تمامی اجزای رم را در کارخانه‌های مخصوص خود تولید می‌نمود. اما انویدیا با هدف تضمین کارایی یکنواخت و تسهیل فرایندهای اعتبارسنجی، از سه تأمین‌کننده اصلی خود یعنی مایکرون، اس‌کی هاینیکس و سامسونگ خواسته تا بخشی از قطعات رم را به روش ۳ نانومتری TSMC تهیه کنند.
با اینکه بخشی از تولید تراشه به رقیب تایوانی واگذار شده، سایر قسمت‌ها همچنان با استفاده از نسل ششم لیتوگرافی سامسونگ، که به نام فرآیند 1c شناخته می‌شود، در خطوط تولید داخلی این شرکت تولید خواهند شد. پیش‌تر سامسونگ در زمینه بسته‌بندی تراشه‌ها با رقیب تایوانی همکاری داشته است؛ اما تولید تراشه توسط TSMC قطعاً یک رخداد بی‌سابقه در تاریخ فعالیت‌های این شرکت به شمار می‌آید.
