کانن از دستگاه جدید ساخت تراشه با توان تولید ۴۰۰ ویفر در ساعت رونمایی کرد

شرکت ژاپنی کانن روز ۱۰ نوامبر ۲۰۲۶ دستگاه تازه‌ای برای ساخت تراشه‌های نیمه‌رسانا معرفی کرد که می‌تواند در شرایط مشخص، تا ۴۰۰ ویفر سیلیکونی ۳۰۰ میلی‌متری را در ساعت نوردهی کند. این دستگاه که FPA-6400ES6a نام دارد، از فناوری لیتوگرافی با لیزر فرابنفش فلوئورید کریپتون (KrF) استفاده می‌کند و برای تولید انواع تراشه‌های حافظه و منطقی طراحی شده است.

کانن اعلام کرده دقت هم‌ترازی لایه‌های مدار در دستگاه جدید به ۴ نانومتر می‌رسد و سامانه پیشرفته نگهداری ویفر آن می‌تواند صفحات سیلیکونی با میزان خمیدگی تا ۷۰۰ میکرومتر را نیز مدیریت کند. این دو ویژگی برای کارخانه‌هایی اهمیت دارند که تراشه‌های پیچیده و چندلایه تولید می‌کنند و باید طرح مدار را در مراحل مختلف ساخت با دقت بالایی روی یکدیگر قرار دهند.

محصول تازه جانشین نسل قبلی دستگاه‌های لیتوگرافی KrF کانن است که مدل اصلی آن در سال ۲۰۱۲ عرضه شده بود. شرکت ژاپنی قصد دارد فروش FPA-6400ES6a را از اوایل دسامبر ۲۰۲۶ آغاز کند.

با این حال، هنوز قیمت دستگاه، تعداد سفارش‌های اولیه و میزان تولید تجاری آن اعلام نشده است. همچنین دقت ۴ نانومتری به معنای توانایی ساخت مستقیم ترانزیستورهای ۴ نانومتری نیست؛ این عدد به میزان خطای هم‌ترازی الگوهای مدار در لایه‌های مختلف مربوط می‌شود.

دستگاه لیتوگرافی چه نقشی در ساخت تراشه دارد؟

وقتی از تولید تراشه‌های پیشرفته صحبت می‌شود، معمولاً توجه به پردازنده‌ها، حافظه‌ها و فناوری‌های جدید هوش مصنوعی معطوف می‌شود. اما پشت این محصولات، مجموعه‌ای از دستگاه‌های بسیار پیچیده قرار دارد که وظیفه ایجاد مدارهای میکروسکوپی روی صفحات سیلیکونی را بر عهده دارند.

لیتوگرافی یکی از مهم‌ترین مراحل این فرایند است.

در این روش، سطح ویفر با ماده‌ای حساس به نور پوشانده می‌شود. سپس طرح مدار با استفاده از یک سامانه نوری به بخش‌های مشخصی از این ماده منتقل می‌شود.

پس از نوردهی و مراحل شیمیایی، الگویی روی سطح باقی می‌ماند که می‌توان از آن برای ایجاد بخش‌های مختلف مدار استفاده کرد.

یک تراشه معمولاً تنها از یک لایه تشکیل نشده است. در فرایند تولید، مراحل متعددی برای ساخت ترانزیستورها، اتصال‌های الکتریکی و دیگر اجزای موردنیاز انجام می‌شود.

به همین دلیل، تجهیزات لیتوگرافی باید بتوانند علاوه بر ایجاد الگوهای دقیق، موقعیت هر لایه جدید را نسبت به لایه‌های قبلی کنترل کنند.

اگر یک الگو با جابه‌جایی نامناسب روی لایه قبلی قرار گیرد، ممکن است اتصال الکتریکی به‌درستی شکل نگیرد یا عملکرد تراشه مختل شود.

دستگاه جدید کانن برای پاسخ به دو نیاز اساسی این فرایند طراحی شده است: افزایش تعداد ویفرهای پردازش‌شده و حفظ دقت بالا هنگام تکرار مراحل نوردهی.

چرا کانن پس از ۱۴ سال نسل تازه‌ای معرفی کرده است؟

مدل FPA-6400ES6a جانشین خانواده‌ای می‌شود که نسخه FPA-6300ES6a آن در آوریل ۲۰۱۲ وارد بازار شده بود.

کانن در سال‌های بعد با افزودن امکانات و بهبودهای مختلف تلاش کرد عملکرد تجهیزات قبلی را افزایش دهد. اما این بار تغییرات فقط به نصب چند قطعه یا اصلاح نرم‌افزار محدود نشده است.

بر اساس گزارش رسانه ژاپنی Mynavi TECH+، شرکت در نسل جدید بخش‌های اصلی پلتفرم، از جمله ساختار دستگاه و اجزای مرتبط با حرکت ویفر را بازطراحی کرده است.

علت این تصمیم را باید در تغییر نیازهای صنعت نیمه‌رسانا جست‌وجو کرد.

در سال‌های اخیر، تولید تراشه‌های حافظه و منطقی پیچیده‌تر شده و بعضی محصولات از ساختارهای چندلایه و سه‌بعدی استفاده می‌کنند.

افزایش تعداد لایه‌ها به معنای تکرار بیشتر مراحل تولید است. در نتیجه، اگر هر مرحله نوردهی زمان زیادی ببرد، ظرفیت کل خط تولید محدود می‌شود.

از سوی دیگر، استفاده از لایه‌های متعدد ممکن است باعث تغییر شکل ویفر شود. همین موضوع کار دستگاه‌های لیتوگرافی را دشوارتر می‌کند.

کانن تلاش کرده با محصول جدید، هم سرعت پردازش را افزایش دهد و هم دستگاه را برای شرایط پیچیده‌تر تولید آماده کند.

این بازطراحی پس از حدود ۱۴ سال اهمیت دارد، اما نباید آن را به معنای توقف کامل توسعه فناوری KrF در این مدت دانست. مدل‌های قبلی طی سال‌های گذشته همچنان بهبود یافته بودند.

عدد ۴۰۰ ویفر در ساعت چگونه به دست آمده است؟

مهم‌ترین مشخصه اعلام‌شده برای FPA-6400ES6a توان عملیاتی ۴۰۰ ویفر در ساعت است.

با این حال، این عدد به شرایط مشخص آزمون مربوط می‌شود.

کانن توضیح داده که این ظرفیت برای ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری و در شرایطی اندازه‌گیری شده که روی هر ویفر ۹۶ ناحیه نوردهی انجام می‌شود.

بنابراین نباید تصور کرد دستگاه در هر کارخانه، با هر طرح مدار و هر تعداد مرحله نوردهی، دقیقاً ۴۰۰ ویفر در ساعت پردازش خواهد کرد.

زمان موردنیاز به تعداد نواحی نوردهی، نوع فرایند و تنظیمات دستگاه وابسته است.

در مقایسه با مدل قبلی مجهز به امکانات اختیاری Grade10، ظرفیت اعلام‌شده از حدود ۳۰۰ ویفر در ساعت به ۴۰۰ ویفر رسیده است.

این تفاوت معادل افزایش تقریبی ۳۳ درصدی توان عملیاتی در شرایط مقایسه‌شده است.

برای یک کارخانه بزرگ، چنین افزایشی می‌تواند اهمیت اقتصادی داشته باشد.

اگر مرحله‌ای مشخص از تولید به دستگاه لیتوگرافی وابسته باشد، افزایش تعداد ویفرهای پردازش‌شده ممکن است به کاهش زمان انتظار یا استفاده مؤثرتر از تجهیزات کمک کند.

با این حال، ظرفیت نهایی یک کارخانه به عملکرد تمام مراحل تولید بستگی دارد.

اگر فرایند دیگری مانند حکاکی، لایه‌نشانی یا کنترل کیفیت گلوگاه اصلی خط تولید باشد، افزایش سرعت لیتوگرافی الزاماً باعث افزایش ۳۳ درصدی خروجی کل کارخانه نخواهد شد.

سامانه حرکتی جدید چگونه سرعت دستگاه را افزایش می‌دهد؟

یکی از تغییرات اساسی محصول جدید، استفاده از سامانه حرکت ویفر با شتاب بسیار بالا است.

در دستگاه لیتوگرافی، ویفر باید با دقت در موقعیت‌های مختلف قرار گیرد تا طرح مدار روی نواحی موردنظر ایجاد شود.

این کار به مجموعه‌ای از حرکت‌های سریع و توقف‌های بسیار دقیق نیاز دارد.

هر بار که دستگاه یک ناحیه را نوردهی می‌کند، سامانه نگهدارنده باید موقعیت ویفر را برای مرحله بعدی تنظیم کند.

اگر این جابه‌جایی‌ها کند باشند، زمان پردازش افزایش پیدا می‌کند.

کانن برای نسل جدید سامانه‌ای طراحی کرده که می‌تواند با شتاب بیشتری حرکت کند و زمان لازم برای رسیدن به موقعیت‌های مختلف را کاهش دهد.

علاوه بر این، از منبع نور پرقدرت‌تری استفاده شده تا زمان موردنیاز بعضی مراحل نوردهی کوتاه‌تر شود.

ترکیب این دو تغییر، بخش مهمی از افزایش سرعت دستگاه را توضیح می‌دهد.

اما حرکت سریع‌تر یک مشکل مهندسی ایجاد می‌کند: هرچه بخش‌های مکانیکی با شتاب بیشتری حرکت کنند، کنترل لرزش و حفظ دقت موقعیت دشوارتر می‌شود.

به همین دلیل، کانن ناچار بوده سامانه کنترل حرکت و فناوری‌های مهار ارتعاش را نیز بهبود دهد.

در تجهیزات ساخت تراشه، سرعت بالا بدون دقت کافی ارزش چندانی ندارد؛ زیرا افزایش خطا می‌تواند باعث کاهش تعداد تراشه‌های سالم شود.

دقت ۴ نانومتری واقعاً به چه معناست؟

یکی از مشخصات برجسته محصول جدید، دقت هم‌ترازی ۴ نانومتر است.

برای فهم این عدد باید میان دو مفهوم متفاوت تمایز قائل شد: وضوح نوردهی و دقت قرارگیری لایه‌ها روی یکدیگر.

وضوح نوردهی نشان می‌دهد دستگاه با سامانه نوری خود قادر است چه اندازه‌ای از جزئیات الگو را ایجاد کند.

اما دقت هم‌ترازی یا Overlay Accuracy به میزان انطباق موقعیت یک الگوی تازه با الگوهایی مربوط می‌شود که پیش‌تر روی ویفر ساخته شده‌اند.

در تولید تراشه‌های چندلایه، هر دو ویژگی اهمیت دارند.

ممکن است دستگاهی بتواند الگویی را با وضوح مناسب ایجاد کند، اما اگر آن را نسبت به لایه قبلی در موقعیت نادرستی قرار دهد، نتیجه قابل‌قبول نباشد.

طبق مشخصات رسمی کانن، وضوح دستگاه جدید حداکثر ۹۰ نانومتر اعلام شده است.

در مقابل، عدد ۴ نانومتر به دقت هم‌ترازی مربوط می‌شود.

این دو مقدار نباید با یکدیگر اشتباه گرفته شوند.

کانن مدعی است دقت ۴ نانومتری در میان اسکنرهای KrF سازگار با ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری در تاریخ ۹ نوامبر ۲۰۲۶، در سطح پیشرو صنعت قرار دارد.

این ادعا بر اساس بررسی خود شرکت مطرح شده و به همه دستگاه‌های لیتوگرافی، از جمله سامانه‌های EUV، تعمیم‌پذیر نیست.

چگونه دستگاه لرزش را کنترل می‌کند؟

وقتی ویفر با سرعت زیاد حرکت می‌کند، حتی ارتعاشات بسیار کوچک می‌توانند بر دقت قرارگیری الگو تأثیر بگذارند.

در دستگاهی که قرار است اختلاف موقعیت لایه‌ها در مقیاس نانومتر کنترل شود، حرکت ناخواسته بخش‌های مکانیکی اهمیت زیادی دارد.

کانن برای کاهش این مشکل از فناوری تازه‌ای برای مهار ارتعاش استفاده کرده است.

این فناوری به سامانه اجازه می‌دهد با وجود شتاب بالای حرکت ویفر، موقعیت آن را با دقت بیشتری کنترل کند.

بر اساس گزارش‌های تخصصی ژاپنی، شرکت همچنین تغییراتی در کنترل جریان هوا و شرایط حرارتی مسیر نوری ایجاد کرده است.

نوسانات دما می‌توانند بر ویژگی‌های بعضی اجزای اپتیکی و مکانیکی تأثیر بگذارند. بنابراین، حفظ شرایط پایدار برای دستیابی به دقت موردنظر ضروری است.

این موضوع نشان می‌دهد توسعه یک دستگاه لیتوگرافی فقط به ساخت لنز یا افزایش توان لیزر وابسته نیست.

مهندسی مکانیک دقیق، کنترل ارتعاش، تنظیم دما و نرم‌افزارهای موقعیت‌یابی همگی در عملکرد نهایی نقش دارند.

کانن می‌گوید مجموعه این بهبودها باعث شده دستگاه جدید بتواند سرعت پردازش بالاتر را با دقت هم‌ترازی مناسب ترکیب کند.

با این حال، میزان عملکرد واقعی در کارخانه‌های مختلف باید با توجه به شرایط نصب و فرایند تولید سنجیده شود.

چرا خم‌شدن ویفر به یک مشکل بزرگ تبدیل شده است؟

یکی از ویژگی‌های مهم FPA-6400ES6a، توانایی کار با ویفرهایی است که تا ۷۰۰ میکرومتر خمیدگی دارند.

ویفر سیلیکونی در آغاز فرایند تولید، صفحه‌ای بسیار دقیق و نسبتاً صاف است. اما مراحل مختلف ساخت تراشه می‌توانند تنش‌هایی در آن ایجاد کنند.

برای مثال، افزودن لایه‌های متعدد با ویژگی‌های فیزیکی متفاوت ممکن است باعث شود صفحه اندکی خمیده شود.

در ساخت قطعات سه‌بعدی یا فرایندهایی که چند ویفر روی یکدیگر قرار می‌گیرند، این مسئله اهمیت بیشتری پیدا می‌کند.

اگر ویفر به اندازه کافی صاف نباشد، نگه‌داشتن آن در موقعیت مناسب هنگام نوردهی دشوار می‌شود.

همچنین تغییر شکل ویفر می‌تواند روی فوکوس و دقت هم‌ترازی تأثیر بگذارد.

کانن اعلام کرده سامانه نگهدارنده در مدل جدید بهبود یافته و می‌تواند ویفرهایی با خمیدگی بیشتر را مدیریت کند.

حداکثر خمیدگی اعلام‌شده ۷۰۰ میکرومتر است.

این عدد به معنی آن نیست که دستگاه می‌تواند هر نوع تغییر شکل یا آسیب ویفر را بدون محدودیت اصلاح کند.

عملکرد نهایی به شکل خمیدگی، ویژگی‌های سطح و شرایط فرایند بستگی خواهد داشت.

با این حال، افزایش دامنه قابل‌قبول خمیدگی می‌تواند انعطاف بیشتری در اختیار سازندگان حافظه‌ها و تراشه‌های چندلایه قرار دهد.

فناوری Hi-ALS چه مشکلی را حل می‌کند؟

کانن در دستگاه جدید گزینه‌ای با نام Hi-ALS یا High Alignment Light Source معرفی کرده است.

این قابلیت به سامانه شناسایی و هم‌ترازی الگوهای روی ویفر مربوط می‌شود.

در بسیاری از فرایندهای ساخت تراشه، نشانه‌هایی روی ویفر قرار دارند که دستگاه با استفاده از آن‌ها موقعیت لایه‌های قبلی را تشخیص می‌دهد.

این نشانه‌ها برای تنظیم موقعیت نوردهی بعدی اهمیت دارند.

اما مواد مختلف و مراحل متفاوت تولید می‌توانند ظاهر نوری نشانه‌های هم‌ترازی را تغییر دهند.

ممکن است نشانه‌ای در یک شرایط به‌وضوح دیده شود، اما در فرایند دیگر تشخیص آن دشوارتر باشد.

Hi-ALS امکان انتخاب طول موج اندازه‌گیری را متناسب با شرایط فراهم می‌کند.

این انعطاف می‌تواند به دستگاه کمک کند نشانه‌های هم‌ترازی را در فرایندهای متفاوت با دقت مناسب‌تری تشخیص دهد.

البته Hi-ALS یک قابلیت اختیاری است و نباید فرض کرد همه دستگاه‌های عرضه‌شده الزاماً با این گزینه نصب خواهند شد.

وجود چنین امکاناتی نشان می‌دهد کانن تلاش کرده محصول تازه را برای طیف گسترده‌تری از فرایندهای ساخت نیمه‌رسانا آماده کند.

این موضوع برای کارخانه‌هایی اهمیت دارد که ممکن است چند نوع محصول را با فرایندهای متفاوت روی یک خط تولید کنند.

چرا هنوز از لیزر ۲۴۸ نانومتری استفاده می‌شود؟

دستگاه جدید کانن از فناوری KrF استفاده می‌کند.

KrF مخفف فلوئورید کریپتون است و در این فناوری، نور فرابنفش با طول موج ۲۴۸ نانومتر برای نوردهی به کار می‌رود.

در سال‌های اخیر، فناوری EUV به دلیل استفاده از طول موج بسیار کوتاه‌تر برای ساخت بخش‌هایی از تراشه‌های پیشرفته مورد توجه زیادی قرار گرفته است.

اما این موضوع به معنی منسوخ‌شدن فناوری‌های قدیمی‌تر نیست.

تولید یک تراشه به مراحل و لایه‌های متعددی نیاز دارد و همه این بخش‌ها الزاماً به پیشرفته‌ترین فناوری نوردهی احتیاج ندارند.

در بسیاری از کاربردها می‌توان از تجهیزات DUV، از جمله سامانه‌های KrF، استفاده کرد.

به‌ویژه در بعضی مراحل تولید حافظه‌ها و تراشه‌های منطقی، ترکیبی از روش‌های مختلف لیتوگرافی به کار گرفته می‌شود.

همچنین استفاده از تجهیزات پیچیده‌تر برای تمام مراحل تولید ممکن است از نظر اقتصادی مناسب نباشد.

کانن با معرفی FPA-6400ES6a روی همین بخش از بازار تمرکز کرده است.

این دستگاه رقیب مستقیمی برای تمام کاربردهای پیشرفته‌ترین تجهیزات EUV نیست، بلکه برای مجموعه مشخصی از مراحل تولید نیمه‌رسانا طراحی شده است.

به همین دلیل، مقایسه آن با دستگاه‌های EUV تنها بر اساس عدد کوچک‌تر یا بزرگ‌تر نانومتر می‌تواند نتیجه گمراه‌کننده‌ای ایجاد کند.

آیا دستگاه جدید به کاهش مصرف برق کمک می‌کند؟

کانن اعلام کرده در طراحی نسل تازه، به مصرف انرژی نیز توجه کرده است.

یکی از فناوری‌های مورد استفاده، بازیابی بخشی از انرژی هنگام کاهش سرعت سامانه حرکتی ویفر است.

این مفهوم شباهتی کلی به بازیابی انرژی در بعضی خودروهای برقی دارد.

وقتی یک بخش متحرک سرعت خود را کاهش می‌دهد، امکان تبدیل و ذخیره بخشی از انرژی آن وجود دارد.

کانن می‌گوید سامانه جدید می‌تواند انرژی بازیابی‌شده را ذخیره کند و در زمان موردنیاز دوباره به کار بگیرد.

علاوه بر این، منبع تغذیه پربازده‌تری برای پشتیبانی از حرکت سریع دستگاه توسعه داده شده است.

هدف این تغییرات، کاهش انرژی مصرفی به ازای نوردهی هر ویفر است.

اما شرکت درصد مشخصی برای کاهش مصرف برق در تمام شرایط اعلام نکرده است.

بنابراین نمی‌توان نتیجه گرفت دستگاه جدید در هر کارخانه به میزان ثابتی هزینه برق را کاهش خواهد داد.

میزان صرفه‌جویی به تعداد ویفرهای پردازش‌شده، تنظیمات عملیاتی و شرایط استفاده بستگی دارد.

با این حال، در تجهیزاتی که به‌صورت مداوم در خطوط تولید فعالیت می‌کنند، حتی بهبود محدود بازده انرژی می‌تواند در بلندمدت اهمیت اقتصادی داشته باشد.

این دستگاه برای ساخت چه نوع تراشه‌هایی مناسب است؟

کانن در معرفی محصول جدید به کاربرد آن در ساخت تراشه‌های حافظه و منطقی اشاره کرده است.

تراشه‌های حافظه برای ذخیره اطلاعات استفاده می‌شوند و در محصولاتی مانند رایانه‌ها، تلفن‌های هوشمند و مراکز داده کاربرد دارند.

تراشه‌های منطقی نیز وظایفی مانند پردازش داده و کنترل فعالیت سامانه‌ها را انجام می‌دهند.

با پیچیده‌ترشدن این محصولات، تعداد مراحل ساخت و نیاز به هم‌ترازی دقیق افزایش پیدا می‌کند.

در بعضی فناوری‌های حافظه، ساختارهای سه‌بعدی با لایه‌های متعدد به کار می‌روند.

این طراحی می‌تواند ظرفیت ذخیره‌سازی را افزایش دهد، اما فرایند تولید را دشوارتر می‌کند.

از سوی دیگر، در تراشه‌های منطقی نیز ایجاد اتصال‌های متعدد میان بخش‌های مختلف مدار به هم‌ترازی مناسب نیاز دارد.

FPA-6400ES6a می‌خواهد بخشی از این نیازها را پاسخ دهد.

با این حال، نمی‌توان از روی مشخصات کلی نتیجه گرفت که دستگاه برای تولید تمام انواع حافظه یا تمام مراحل ساخت پردازنده‌های پیشرفته مناسب است.

انتخاب تجهیزات لیتوگرافی به طراحی محصول، اندازه جزئیات موردنیاز و شرایط خط تولید بستگی دارد.

ظرفیت بیشتر چگونه می‌تواند بر هزینه تولید اثر بگذارد؟

در کارخانه‌های نیمه‌رسانا، تجهیزات لیتوگرافی از بخش‌های مهم هزینه سرمایه‌گذاری محسوب می‌شوند.

خرید، نصب و نگهداری این دستگاه‌ها به منابع مالی و فنی قابل‌توجهی نیاز دارد.

اگر یک دستگاه بتواند تعداد بیشتری ویفر را در زمان مشخص پردازش کند، کارخانه ممکن است برای دستیابی به ظرفیت موردنظر به تعداد کمتری از تجهیزات نیاز داشته باشد.

همچنین کاهش زمان انتظار در یک مرحله می‌تواند برنامه‌ریزی تولید را بهبود دهد.

اما افزایش توان عملیاتی تنها یکی از عوامل تعیین‌کننده هزینه است.

دقت نوردهی، میزان خرابی تجهیزات، مصرف مواد، زمان توقف برای تعمیر و درصد تراشه‌های سالم نیز اهمیت دارند.

اگر دستگاه سریع‌تر کار کند اما خطای بیشتری ایجاد کند، سود حاصل از افزایش سرعت ممکن است کاهش پیدا کند.

کانن تلاش کرده با ترکیب سرعت بالاتر و دقت هم‌ترازی ۴ نانومتر، این دو نیاز را هم‌زمان پاسخ دهد.

با وجود این، هنوز اطلاعات مستقلی درباره عملکرد دستگاه در خطوط تولید تجاری منتشر نشده است.

همچنین قیمت محصول اعلام نشده تا بتوان هزینه خرید آن را با ظرفیت عملیاتی مقایسه کرد.

بنابراین، ارزیابی اقتصادی نهایی باید پس از عرضه و انتشار اطلاعات بیشتر انجام شود.

کانن در رقابت تجهیزات ساخت تراشه چه جایگاهی دارد؟

کانن برای بسیاری از مصرف‌کنندگان با دوربین، چاپگر و تجهیزات تصویربرداری شناخته می‌شود، اما این شرکت سابقه طولانی در ساخت سامانه‌های اپتیکی صنعتی نیز دارد.

دستگاه‌های لیتوگرافی بخشی از همین فعالیت هستند.

در بازار جهانی تجهیزات ساخت تراشه، شرکت‌های مختلفی روی فناوری‌های نوردهی و سامانه‌های اپتیکی فعالیت می‌کنند.

رقابت در این بازار فقط بر سر کوچک‌ترین اندازه قابل‌ساخت نیست.

کارخانه‌ها به ظرفیت تولید، دقت تکرارپذیر، قابلیت اطمینان، خدمات پشتیبانی و سازگاری با فرایندهای موجود نیز توجه می‌کنند.

برای مثال، ممکن است یک کارخانه برای مرحله‌ای خاص از تولید به دستگاهی نیاز داشته باشد که سرعت بسیار بالا و دقت هم‌ترازی مناسب ارائه دهد، در حالی که اندازه جزئیات موردنیاز آن به فناوری EUV احتیاج نداشته باشد.

کانن با معرفی مدل جدید، چنین نیازهایی را هدف گرفته است.

گزارش‌های تخصصی ژاپنی نیز تأکید کرده‌اند که بازطراحی پلتفرم پس از ۱۴ سال، پاسخی به افزایش پیچیدگی تولید نیمه‌رساناهاست.

البته هنوز مشخص نیست محصول جدید چه سهمی از سفارش‌های آینده کارخانه‌های تراشه‌سازی را به دست خواهد آورد.

برای چنین نتیجه‌گیری‌ای، اطلاعات فروش و عملکرد واقعی در صنعت لازم است.

زمان عرضه و پرسش‌های بی‌پاسخ

کانن اعلام کرده عرضه FPA-6400ES6a از اوایل دسامبر ۲۰۲۶ آغاز می‌شود.

بنابراین در زمان انتشار خبر ۱۲ نوامبر، دستگاه معرفی شده اما عرضه برنامه‌ریزی‌شده آن هنوز شروع نشده است.

شرکت قیمت رسمی، تعداد سفارش‌های اولیه و ظرفیت تولید سالانه این تجهیزات را اعلام نکرده است.

همچنین نتایج آزمون‌های مستقل از عملکرد دستگاه در کارخانه‌های مشتریان در دسترس نیست.

با این حال، مشخصات منتشرشده نشان می‌دهد کانن تلاش کرده هم‌زمان سه محدودیت مهم را کاهش دهد: زمان پردازش ویفر، خطای هم‌ترازی لایه‌ها و دشواری کار با صفحات سیلیکونی خمیده.

افزایش ظرفیت به ۴۰۰ ویفر در ساعت، دقت هم‌ترازی ۴ نانومتر و پشتیبانی از خمیدگی ۷۰۰ میکرومتری از مهم‌ترین ویژگی‌های اعلام‌شده هستند.

این اعداد هرکدام به شرایط و معیار مشخصی مربوط‌اند و نباید آن‌ها را با ظرفیت واقعی تولید تراشه‌های سالم یا وضوح ساخت ترانزیستور یکسان دانست.

اهمیت خبر ۱۰ نوامبر در این است که یکی از سازندگان باسابقه تجهیزات لیتوگرافی، نسل تازه‌ای از دستگاه‌های KrF را با تمرکز بر سرعت، دقت و انعطاف تولید معرفی کرده است.

در دورانی که رشد هوش مصنوعی تقاضا برای حافظه و پردازنده را افزایش داده، توسعه تجهیزات ساخت نیمه‌رسانا فقط به کوچک‌ترکردن مدارها محدود نیست. کارخانه‌ها باید بتوانند تعداد بیشتری ویفر را با کیفیت قابل‌قبول و هزینه مناسب پردازش کنند.

FPA-6400ES6a پاسخی به بخشی از همین نیاز است؛ دستگاهی که موفقیت واقعی آن پس از آغاز عرضه و استفاده در خطوط تولید مشخص خواهد شد.

منبع: Canon Global، Mynavi TECH+، EDN Japan، DIGITIMES