علت ناکامی پروژه کارخانه نیمه‌رسانای اینتل در اوهایو چه بود؟

گزارش‌ها حاکی از آن است که یکی از افراد تاثیرگذار لابی اینتل در پروژه احداث کارخانه نیمه‌رسانا در اوهایو از این شرکت جدا شده است. این شخصیت، که نقش اساسی در هم‌راستایی با دولت‌های ایالات متحده به منظور پیشبرد پروژه اوهایو ایفا کرده بود، به همراه چند تن از مدیران پروژه دیگر، تصمیم به ترک شرکت گرفته‌اند. این تغییرات در سطح رهبری در شرایطی رخ داده که پروژه اوهایو به طور مداوم با تأخیر مواجه شده و محتوای اقتصادی و تولیدی آن به شدت زیر سوال رفته است. این تحولات نشان‌دهنده فشاری عظیم و ساختاری است که بر برنامه‌های تولید چیپ در ایالات متحده وارد آمده است.

به گزارش بخش صنایع نیمه‌رسانای پایگاه خبری فناوری تکنا، بر اساس یافته‌ها، این لابیست نقش مرکزی در مراسم کلنگ‌زنی کارخانه اوهایو و همچنین رسوایی اعطای سِمت به رئیس‌جمهور دونالد ترامپ ایفا کرده است، و همزمان به برقراری تعاملاتی با دولت بایدن نیز پرداخته تا برای پروژه حمایت جلب کند. اما اکنون با ترک این فرد، گسست قابل توجهی در روابط میان Intel و نهادهای دولتی پدید آمده است. به همین ترتیب، مدیر امور عمومی و چندین مدیر پروژه در زمینه تولید و تدارکات نیز از شرکت خارج شده‌اند. این تغییرات در حال وقوع است در حالی که به رغم سه سال از اعلام پروژه، هنوز فرآیند تولید فناوری‌های پیشرفته در کارخانه اوهایو آغاز نشده و پیش‌بینی می‌شود که این کارخانه حداقل تا سال ۲۰۳۱ به بهره‌برداری نرسد.

شرکت Intel پیش از این اعلام کرده بود که هدف اصلی آن کاهش زیان‌ها و تمرکز بر روی پروژه‌هایی است که قابلیت بازدهی اقتصادی محسوس را دارند. اما عقب‌نشینی‌های مکرر از برنامه‌ها و تأخیرهای پی در پی، سوالاتی را در مورد توانایی این شرکت برای تحقق تعهدات خود به اوهایو و سرمایه‌گذاران مطرح کرده است. منابع محلی در اوهایو از انتظار طولانی‌مدت هزاران کارگر ساختمانی و هزینه‌های سنگین زیرساختی خبر می‌دهند که بدون نتیجه باقی مانده است. به نظر می‌رسد خروج چهره‌های کلیدی از پروژه اوهایو نه تنها نشانه‌ای از بحران در درون برنامه‌های تولید نیمه‌رسانا باشد، بلکه ممکن است حکایت از تغییر اولویت‌های Intel و عقب‌نشینی از وعده‌های بلندپروازانه این صنعت داشته باشد.

مشاهده بیشتر

نوشته های مشابه

دکمه بازگشت به بالا